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GEO06137 Abstract: OHLY0598 OHRD1938 Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 405 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • GaAs-IR-Lumineszenzdiode Hohe Zuverlässigkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit SFH 305	Original	PDF
GaAs 850 nm Infrared Emitting Diode Abstract: GEO06137 OHRD1938 Q62702-P835 Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 2.84 2.24 1 3.6 3.2 3.0 2.5 2.7 2.5 1.15 0.90 SFH 405 3.5 3.0 0.5˚ 0.5 0.4 2.1 1.5 2.54 spacing Collector SFH 305) Cathode (SFH 405) Approx. weight 0.02 g feo06317 1) Detaching area for tools, flash not true to size.	Original	PDF	feo06317 GEO06137 OHR02183 OHR01886 GaAs 850 nm Infrared Emitting Diode GEO06137 OHRD1938 Q62702-P835
GEO06137 Abstract: OHRD1938 Q62702-P835 Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 405 Wesentliche Merkmale • GaAs-IR-Lumineszenzdiode • Hohe Zuverlässigkeit • Gruppiert lieferbar • Gehäusegleich mit SFH 305 • Miniatur-Gehäuse Features • GaAs infrared emitting diode • High reliability	Original	PDF	OHR01886 GEO06137 GEO06137 OHRD1938 Q62702-P835
GEO06137 Abstract: OHLY0598 OHRD1938 Q62702-P0835 Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 405 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • GaAs-IR-Lumineszenzdiode Hohe Zuverlässigkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit SFH 305	Original	PDF
"1060 nm" Abstract: GEO06137 Q62702-P3589 Q62702-P836 Q62702-P848 Q62702-P849 OPTO 3052 Text: Mini-NPN-Silizium-Fototransistor Mini-Silicon NPN Phototransistor SFH 305 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1060 nm • Hohe Linearität • Mini-Bauform • Gruppiert lieferbar Features • Especially suitable for applications from	Original	PDF	Q62702-P836 Q62702-P848 GEO06137 "1060 nm" GEO06137 Q62702-P3589 Q62702-P836 Q62702-P848 Q62702-P849 OPTO 3052