ECSP1006 Search Results

transistor zo 607

Abstract: ZO 607 MA zo 607 equivalent ZO 607 3308 TOP MARK IC 890 f 562 ic pdf datasheet ic 565 application zo 103 ma zo 103 ma 75 607 ZO 109
Contextual Info: EC3H02BA Ordering number : ENA1064A SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor EC3H02BA VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications Features • • • • • Low noise : NF=1.0dB typ f=1GHz . High gain : ⏐S21e⏐2=12dB typ (f=1GHz).

EC3A02T

Contextual Info: 注文コード No. N 7 6 2 1 EC3A02T N7621 33004 新 EC3A02T 特長 N チャネル接合型シリコン電界効果トランジスタ コンデンサマイクロホン用 ・超小型（1006 サイズ） 薄型（0.35mm）リードレスパッケージ。

A1947

Contextual Info: VS105E2 Ordering number : ENA1947 SANYO Semiconductors DATA SHEET VS105E2 ESD Protection Device for High-speed signal Line typ. 0.3pF Features • • • • Low capacitance (0.3pF) & high ESD immunity (18kV@IEC61000-4-2 contact discharge) Bidirectional characteristic Best suited for antenna (One Seg / GPS / FM) ESD protection

Contextual Info: I Ordering number : ENN6578 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor EC3H07B UHF to S Band Low-Noise Amplifier and OSC Applications Package Dimensions Features unit : mm • Low noise : NF=1.5dB typ f=2GHz . • High cut-off frequency : fx=10G H z typ (V cE =l V). 2 1 8 3

EC3A01B

Abstract: TA-3160
Contextual Info: Ordering number : ENN6612 EC3A01B N-Channel Silicon Junction FET EC3A01B Capacitor Microphone Applications Features • 0.15 0.15 0.05 1 2 0.25 0.4 0.65 0.25 • [EC3A01B] 0.35 0.2 3 0.5 1.0 • Ultrasmall 1006 size , thin (0.5mm) leadless package. unit : mm

IC 7107

Abstract: 5252 F 1006 C 5763 transistor PT 4962 marking 5241 CRE 6203 ECSP1006-3 EC3H10B current 5241 10419
Contextual Info: Ordering number : ENN7324 EC3H10B NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor EC3H10B UHF to S Band Low-Noise Amplifier and OSC Applications Features 1 3 2 0.15 1 1.0 0.05 0.25 Top View 0.05 • [EC3H10B] Bottom View 0.5 0.65 • unit : mm 2183A Marking 2 0.05

TF246

Abstract: TF252TH TF208TH TF222B condenser microphone ecm 30
Contextual Info: T OP I C S ニュースリリース製品トピックス 2008年6月4日リリース ECM 用ジャンクションFET 「TF246」 ※1 業界最小 パッケージ 業界採用率 トップシェア53% 達成！ 更に1億5千万個/月 増産！ ポータブル機器の小型化を実現

A1064

Abstract: EC3H02BA ECSP1006-3 A1064-1 7039a
Contextual Info: EC3H02BA 注文コード No. N A 1 0 6 4 B 三洋半導体データシート 半導体データシート No. N1064A をさしかえてください。 EC3H02BA NPN エピタキシァルプレーナ型シリコントランジスタ VHF ~ UHF 広帯域低雑音増幅用

5252 f 0916

Abstract: 7453 ic ic 7924 5252 F 1006 an 17832 D2502 EC3H11B 7325 5252 0916 transistor t/51511d150/fw/a/buy/5252 f 0916
Contextual Info: Ordering number : ENN7325 EC3H11B NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor EC3H11B High-Frequency Low-Noise Amplifier and OSC Applications 0.15 0.15 0.05 1 2 0.25 0.4 0.65 • [EC3H11B] 0.35 0.2 3 0.5 1.0 • Low noise : NF=1.5dB typ f=2GHz . unit : mm High cutoff frequency : fT=6.0GHz typ (VCE=1V). 2183

4935N

Abstract: cbc 547 transistor Bf 966 cbc 639 SBFP405B TRANSISTOR cBC 415 mm2214 IC pc 0839 IB 6407
Contextual Info: Ordering number : ENN7456 SBFP405B NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor SBFP405B UHF to C Band Low Noise Amplifier, Oscillation Applications Features • • • Package Dimensions Low noise : NF=1.25dB typ f=1.8GHz . High cutoff frequency : fT=25GHz typ (VCE=3V).

EC3H06B

Abstract: TA248
Contextual Info: Ordering number:ENN6524 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor EC3H06B UHF to S Band Low-Noise Amplifier and OSC Applications Package Dimensions unit:mm 2183 [EC3H06B] 0.15 0.15 0.05 1 2 0.05 3 0.5 1.0 0.4 0.05 0.25 0.35 0.2 0.25 • Low noise : NF=0.9dB typ f=1GHz .

EC3H03B

Contextual Info: Ordering number : ENN6576 EC3H03B NPN Epitaxial Planar Type Silicon Transistor EC3H03B VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier and OSC Applications Features 0.35 0.2 0.25 [EC3H03B] 0.15 0.15 0.05 1 2 3 0.5 1.0 0.4 0.65 • 0.05 • unit : mm 2183 0.25 •

sanyo 103 490 0220

Abstract: 74345 74346 cbc 639 7434 ic data sheet SBFP420B cbc 5468 CBC 548 ic 74347 74344
Contextual Info: Ordering number : ENN7434 SBFP420B NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor SBFP420B UHF to C Band Low Noise Amplifier, Oscillation Applications Features • • • Low noise : NF=1.1dB typ f=1.8GHz . unit : mm High cut-off frequency : fT=20GHz typ (VCE=1V).

EC3A01T

Abstract: ECSP1006-3
Contextual Info: Ordering number : ENN7617 EC3A01T N-Channel Silicon Junction FET EC3A01T Electret Condenser Microphone Applications Features Bottom View Top View 1 1.0 1 0.05 • [EC3A01T] 0.05 0.65 • unit : mm 2223 0.25 • Ultrasmall 1006 size and thin (0.35mm) leadless

transistor on 4436

Abstract: EC3H09B MARKING 17305 c 4235 transistor npn
Contextual Info: Ordering number : ENN7269 EC3H09B NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor EC3H09B High-Frequency Low-Noise Amplifier and OSC Applications 0.15 0.15 0.05 1 2 0.25 0.4 0.65 • [EC3H09B] 0.35 0.2 3 0.5 1.0 • Low noise : NF=1.5dB typ f=2GHz . unit : mm High cut-off frequency : fT=6.5GHz typ (VCE=1V). 2183

EC4A01TF

Contextual Info: EC4A01TF 注文コード No. N 8 7 1 5 三洋半導体データシート N EC4A01TF N チャネル接合型シリコン電界効果トランジスタ コンデンサマイクロホン用 特長 ・超小型 （1006 サイズ） 薄型 （0.35mm） リードレスパッケージ。

EC3H05B

Contextual Info: 注文コード No. N 6 5 7 4 EC3H05B 三洋半導体データシート N EC3H05B 特長 NPN エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ VHF ~ UHF 広帯域低雑音増幅用 ・低雑音である：NF=1.2dB typ（f=1GHz） 。 。

EC3H08B

Contextual Info: Ordering number : 0000000 EC3H08B NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor EC3H08B High-Frequency Amp Applications, Osc. Applications Preliminary • [EC3H08B] 0.15 0.15 0.05 1 2 0.25 0.4 0.65 • 0.35 0.2 3 0.5 1.0 • Low noise : NF=1.6dB typ f=2GHz . unit : mm

transistor 1.8GHz 18dB

Contextual Info: Ordering number : 0000000 SBFP405B NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor SBFP405B UHF to C Band Low-Noise Amplifier Osc. Applications • [SBFP405B] 0.35 0.2 0.15 0.15 0.05 3 4 0.25 0.4 0.65 • unit : mm 0000 1 2 0.05 1.0 • Low noise : NF=1.25dB typ f=1.8GHz .

zo 607 MA

Abstract: equivalent ZO 607 transistor zo 607 EC3H04B
Contextual Info: Ordering number : ENN6577 EC3H04B NPN Epitaxial Planar Type Silicon Transistor EC3H04B High-Frequency Low-Noise Amplifier and OSC Applications Features 0.35 0.2 0.25 [EC3H04B] 0.15 0.15 0.05 1 2 3 0.5 1.0 0.4 0.65 • unit : mm 2183 0.05 • Low noise : NF=1.7dB typ f=2GHz .

4935N

Abstract: SBFP405B ua 722 fc
Contextual Info: Ordering number : ENN7456 SBFP405B SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor SBFP405B UHF to C Band Low Noise Amplifier, Oscillation Applications Features • • • Low noise : NF=1.25dB typ f=1.8GHz . High cutoff frequency : fT=25GHz typ (VCE=3V).

74368

Abstract: 7436 ic data sheet circuit diagram of 7436 ic ENN7436 SBFP540B 74367 9853 1331 br 8550 NPN
Contextual Info: Ordering number : ENN7436 SBFP540B SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor SBFP540B UHF to C Band Low Noise Amplifier, Oscillation Applications Features • • • • • Low noise : NF=0.9dB typ f=1.8GHz . High cut-off frequency : fT=20GHz typ (VCE=1V).

9746

Abstract: of ic 7808 ic 7808 D2502 EC3H08B ECSP1006-3 OF IC 7421 transistor c 6073 8948
Contextual Info: Ordering number : ENN7329 EC3H08B NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor EC3H08B UHF to S Band Low-Noise Amplifier and OSC Applications • 0.15 0.15 0.05 1 2 0.25 0.4 0.65 • [EC3H08B] 0.35 0.2 3 0.5 0.05 0.5 Bottom view Specifications 0.6 1.0 • Low noise

EC2D02B

Abstract: ECSP1006-2 MAA30
Contextual Info: EC2D02B 注文コード No. N 7 5 0 3 A 三洋半導体データシート 半導体データシート No.N7503 をさしかえてください。 EC2D02B ショットキバリアダイオード 30V, 100mA 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ・コンバータ・チョッパ等の高周波回路整流用。