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    DS30030

    Abstract: 4b42
    Text: MBR830 - MBR860 8.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER POWER SEMICONDUCTOR Features • • • • • • • Schottky Barrier Chip Guard Ring Die Construction for Transient Protection Low Power Loss, High Efficiency High Surge Capability High Current Capability and Low Forward


    Original     		PDF MBR830 MBR860 O-220AC MBR845 MBR850 DS30030 MBR830-MBR860 4b42

    L14C2

    Abstract: L14C1
    Text: HERMETIC SILICON PHOTOTRANSISTOR L14C1 L14C2 PACKAGE DIMENSIONS 0.230 5.84 0.209 (5.31) 0.195 (4.96) 0.178 (4.52) 0.030 (0.76) MAX 0.210 (5.34) MAX 0.500 (12.7) MIN 0.100 (2.54) SCHEMATIC 0.050 (1.27) 0.100 (2.54) DIA. (CONNECTED TO CASE) COLLECTOR 3 2 1


    Original     		PDF L14C1 L14C2 L14C1/L14C2 DS300305 L14C2 L14C1

    LM20143

    Abstract: MSS1038 MXA16A
    Text: ご注意：この日本語データシートは参考資料として提供しており内容が最新でない 場合があります。製品のご検討およびご採用に際しては、必ず最新の英文デー タシートをご確認ください。


    Original     		PDF LM20143 500kHz eTSSOP-16 LM20143 MSS1038 MXA16A

    LM20123

    Abstract: LM20133 LM20154 MSS1038 MXA16A
    Text: ご注意：この日本語データシートは参考資料として提供しており内容が最新でない 場合があります。製品のご検討およびご採用に際しては、必ず最新の英文デー タシートをご確認ください。


    Original     		PDF LM20133 500kHz eTSSOP-16 LM20133 LM20123 LM20154 MSS1038 MXA16A

    LM20123

    Abstract: LM20133 LM20154 MSS1038 MXA16A
    Text: ご注意：この日本語データシートは参考資料として提供しており内容が最新でない 場合があります。製品のご検討およびご採用に際しては、必ず最新の英文デー タシートをご確認ください。


    Original     		PDF LM20133 500kHz eTSSOP-16 LM20133 LM20123 LM20154 MSS1038 MXA16A

    LM20125

    Abstract: MSS1038 MXA16A
    Text: ご注意：この日本語データシートは参考資料として提供しており内容が最新でない 場合があります。製品のご検討およびご採用に際しては、必ず最新の英文デー タシートをご確認ください。


    Original     		PDF LM20125 500kHz 5A500kHz eTSSOP-16 LM20125 MSS1038 MXA16A

    LM20134

    Abstract: LM20154 MSS1038 MXA16A
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    Original     		PDF LM20134 500kHz eTSSOP-16 LM20134 LM20154 MSS1038 MXA16A

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: MBR830 - MBR860 8.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features • · · · · · · Schottky Barrier Chip Guard Ring Die Construction for Transient Protection Low Power Loss, High Efficiency High Surge Capability High Current Capability and Low Forward Voltage Drop


    Original     		PDF MBR830 MBR860 O-220AC MIL-STDMBR860 MBR845 MBR850 DS30030 MBR830-MBR860

    LM20143

    Abstract: MSS1038 MXA16A coilcraft f
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    Original     		PDF LM20143 500kHz eTSSOP-16 LM20143 MSS1038 MXA16A coilcraft f

    LM20134

    Abstract: LM20154 MSS1038 MXA16A
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    Original     		PDF LM20134 500kHz eTSSOP-16 LM20134 LM20154 MSS1038 MXA16A

    Indicator Lamps

    Abstract: "Indicator Lamps"
    Text: T-100 3mm SOLID STATE INDICATOR LAMPS RED DIFFUSED HER DIFFUSED YELLOW DIFFUSED GREEN DIFFUSED QL202HD QL202ID QL202YD QL202GD PACKAGE DIMENSIONS RED CLEAR HER CLEAR YELLOW CLEAR GREEN CLEAR QL202HT QL202IT QL202YT QL202GT FEATURES • Popular T-100 package


    Original     		PDF T-100 QL202HD QL202ID QL202YD QL202GD T-100 QL202HT QL202IT QL202YT QL202GT Indicator Lamps "Indicator Lamps"

    OF LED 55B

    Abstract: Phototransistor L14G3 application L14G1 l14g1 equivalent L14G2 L14G3 L14G3 phototransistor Phototransistor L14G3 L14G2 application note L14G3 equivalent
    Text: HERMETIC SILICON PHOTOTRANSISTOR L14G1 L14G2 L14G3 PACKAGE DIMENSIONS 0.230 5.84 0.209 (5.31) 0.195 (4.95) 0.178 (4.52) 0.255 (6.47) 0.225 (5.71) 0.030 (0.76) NOM 0.500 (12.7) MIN 0.100 (2.54) 0.050 (1.27) SCHEMATIC 2 1 (CONNECTED TO CASE) COLLECTOR 3 3


    Original     		PDF L14G1 L14G2 L14G3 L14G1/L14G2/L14G3 DS300307 OF LED 55B Phototransistor L14G3 application L14G1 l14g1 equivalent L14G2 L14G3 L14G3 phototransistor Phototransistor L14G3 L14G2 application note L14G3 equivalent

    L14P1

    Abstract: L14P2 1N6265
    Text: HERMETIC SILICON PHOTOTRANSISTOR L14P1 L14P2 PACKAGE DIMENSIONS 0.230 5.84 0.209 (5.31) 0.195 (4.95) 0.178 (4.52) 0.255 (6.47) 0.225 (5.71) 0.030 (0.76) NOM 0.500 (12.7) MIN 0.100 (2.54) 0.050 (1.27) SCHEMATIC 2 1 (CONNECTED TO CASE) COLLECTOR 3 3 0.038 (0.97)


    Original     		PDF L14P1 L14P2 L14P1/L14P2 DS300309 L14P1 L14P2 1N6265

    LM20145

    Abstract: MSS1038 MXA16A
    Text: ご注意：この日本語データシートは参考資料として提供しており内容が最新でない 場合があります。製品のご検討およびご採用に際しては、必ず最新の英文デー タシートをご確認ください。


    Original     		PDF 250kHz 750kHz LM20145 eTSSOP-16 DS300307-04-JP LM20145 MSS1038 MXA16A

    L14P1

    Abstract: phototransistor peak wave sensitivity 600 nm phototransistor 500-600 nm 1N6265 L14P2
    Text: HERMETIC SILICON PHOTOTRANSISTOR L14P1 L14P2 PACKAGE DIMENSIONS 0.230 5.84 0.209 (5.31) 0.195 (4.95) 0.178 (4.52) 0.255 (6.47) 0.225 (5.71) 0.030 (0.76) NOM 0.500 (12.7) MIN 0.100 (2.54) 0.050 (1.27) SCHEMATIC 2 1 (CONNECTED TO CASE) COLLECTOR 3 3 0.038 (0.97)


    Original     		PDF L14P1 L14P2 L14P1/L14P2 DS300309 L14P1 phototransistor peak wave sensitivity 600 nm phototransistor 500-600 nm 1N6265 L14P2

    MBR830

    Abstract: MBR845 MBR850 MBR860 MBR830-MBR860 DS30030
    Text: MBR830 - MBR860 8.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features • · · · · · · Schottky Barrier Chip Guard Ring Die Construction for Transient Protection Low Power Loss, High Efficiency High Surge Capability High Current Capability and Low Forward Voltage Drop


    Original     		PDF MBR830 MBR860 O-220AC MIL-STD-202, MBR845 MBR850 DS30030 MBR830-MBR860 MBR845 MBR860 MBR830-MBR860

    l14f1

    Abstract: L14f1 data sheet L14F L14F1-L14F2 circuit using l14f1 l14F1 equivalent L14F2 transistor l14f1 LED56 equivalent OF l14f1
    Text: HERMETIC SILICON PHOTODARLINGTON L14F1 L14F2 PACKAGE DIMENSIONS 0.230 5.84 0.209 (5.31) 0.195 (4.95) 0.178 (4.52) 0.255 (6.47) 0.225 (5.71) 0.030 (0.76) NOM 0.500 (12.7) MIN 0.100 (2.54) SCHEMATIC 0.050 (1.27) (CONNECTED TO CASE) COLLECTOR 3 2 1 3 0.038 (0.97)


    Original     		PDF L14F1 L14F2 L14F1/L14F2 DS300306 l14f1 L14f1 data sheet L14F L14F1-L14F2 circuit using l14f1 l14F1 equivalent L14F2 transistor l14f1 LED56 equivalent OF l14f1

    LM20134

    Abstract: LM20154 MSS1038 MXA16A
    Text: ご注意：この日本語データシートは参考資料として提供しており内容が最新でない 場合があります。製品のご検討およびご採用に際しては、必ず最新の英文デー タシートをご確認ください。


    Original     		PDF LM20154 eTSSOP-16 LM20154 LM20134 MSS1038 MXA16A

    LM20123

    Abstract: LM20144 MSS1038 MXA16A
    Text: ご注意：この日本語データシートは参考資料として提供しており内容が最新でない 場合があります。製品のご検討およびご採用に際しては、必ず最新の英文デー タシートをご確認ください。


    Original     		PDF LM20144 500kHz eTSSOP-16 LM20144 LM20123 MSS1038 MXA16A

    TSB1G7000-E

    Abstract: CL21B105KONE TM162JCAWG1 GMC21X7R104K50NTLF DC-003-250 CL21B105 TSB1G7000 GMC21X7R104K50NT ECS-80-20-5PX-DN AXJ115301S
    Text: KEY Microchip Technology Incorporated 2355 W. Chandler Blvd. Chandler, AZ 85224-6199 CR: Cross CS: Consign PL: Pack List ASSEMBLY NUMBER: 12-00723 REV: 7 ASSEMBLY NAME: FINAL ASSY, EXPLORER 16 DEVELOPMENT BOARD Qty Part Number Rev D: Drawing B: BOM LBL: Label


    Original     		PDF DS30030 DS51282 DS30210 dsPIC33 PIC24F DS51588 CAB0003 RS-232 TSB1G7000-E CL21B105KONE TM162JCAWG1 GMC21X7R104K50NTLF DC-003-250 CL21B105 TSB1G7000 GMC21X7R104K50NT ECS-80-20-5PX-DN AXJ115301S

    LM20145

    Abstract: MSS1038 MXA16A
    Text: ご注意：この日本語データシートは参考資料として提供しており内容が最新でない 場合があります。製品のご検討およびご採用に際しては、必ず最新の英文デー タシートをご確認ください。


    Original     		PDF 250kHz 750kHz LM20145 eTSSOP-16 DS300307-04-JP LM20145 MSS1038 MXA16A

    LM20134

    Abstract: LM20154 MSS1038 MXA16A 12-ta
    Text: ご注意：この日本語データシートは参考資料として提供しており内容が最新でない 場合があります。製品のご検討およびご採用に際しては、必ず最新の英文デー タシートをご確認ください。


    Original     		PDF LM20154 eTSSOP-16 LM20154 LM20134 MSS1038 MXA16A 12-ta

    LM20123

    Abstract: LM20144 MSS1038 MXA16A
    Text: ご注意：この日本語データシートは参考資料として提供しており内容が最新でない 場合があります。製品のご検討およびご採用に際しては、必ず最新の英文デー タシートをご確認ください。


    Original     		PDF LM20144 500kHz eTSSOP-16 LM20144 LM20123 MSS1038 MXA16A

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: MBR830 - MBR860 8.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features • • • • • • • Schottky Barrier Chip Guard Ring Die Construction for Transient Protection Low Power Loss, High Efficiency High Surge Capability High Current Capability and Low Forward Voltage Drop


    OCR Scan     		PDF MBR830 MBR860 O-22QAC DS30030 MBR830-MBR860