D40N Search Results

TRANSISTOR regulator

Abstract: D40N1 D40N5 D40N2 D40N4 D40N1.2 tab ic D40N3 D40P1 D40P3
Contextual Info: SILICON POWER TRANSISTORS NPN HIGH VOLTAGE GE Type Pt rc = 25°C Max. W D40N1 D40N2 D40N3 D40N4 6.25 6.25 6.25 6.25 v CEO Min. (V) 6.25 120 D40P3 6.25 180 D42R2 D42R3 D42R4 15 225 250 300 15 15 2 50 15 60 300 D40P1 D42R I 30 300 375 6.25 60 250 6.25 300

Contextual Info: , One. 20 STERN AVE. SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 U.S.A. TELEPHONE: 973 376-2922 (212)227-6005 FAX: (973) 376-8960 Silicon Power lan iransistors High Voltage Video Output Transistor D40N The D40N is a silicone plastic encapsulated power transistor for TV video

Contextual Info: S DU/D40N03L S amHop Microelectronics C orp. May,2004 ver1.1 N-C hannel Logic Level E nhancement Mode Field E ffect Transistor F E AT UR E S P R ODUC T S UMMAR Y V DS S R DS ON ( m W ) ID S uper high dense cell design for low R DS (ON ). Max R ugged and reliable.

tab ic

Abstract: GE d44q3 D40N1 D40N2 D40N3 D40N4 D40N5 D40P1 D40P3 D40P5
Contextual Info: SILICON POWER TRANSISTORS NPN HIGH VOLTAGE Pt GE Type r c = 25°C Max. W D40N1 D 40N 2 D 40N 3 D40N4 6.25 6.25 6.25 6.25 Min. •c Cont. (V) (A) v CEO 60 250 30 300 60 300 6.25 375 D40P1 6.25 120 D 40P3 6.25 180 S l i i t l D42RI D 42R2 D 42R3 D42R4 6.25

D44R4

Abstract: D44R2 D40N5 D44R8 D40N1 D40N2 D40N3 D40N4 D40P1 D40P3
Contextual Info: SILICON POWER TRANSISTORS NPN HIGH VOLTAGE GE Type Pt rc = 25°C M ax. W D40N1 D40N2 D40N3 D40N4 6.25 6 .2 5 6.25 6 .2 5 v CEO M in. (V) 6.25 120 D40P3 6 .2 5 180 D42R2 D 42R 3 D42R4 15 225 250 300 15 15 250 15 60 300 D40P1 D42R I 30 300 375 6 .2 5 60 250

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l455

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D40N03

Abstract: TO252and
Contextual Info: S DU/D40N03L S amHop Microelectronics C orp. Augus t , 2002 N-C hannel Logic Level E nhancement Mode Field E ffect Transistor F E AT UR E S P R ODUC T S UMMAR Y V DS S R DS ON ( m W ) ID S uper high dense cell design for low R DS (ON ). TYP R ugged and reliable.

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GE RED GREASE

Abstract: D42R3 D40N1 D40N5 D40P3 D40N2 D40N3 D40N4 D40P1 D40P5
Contextual Info: SILICON POWER TRANSISTORS NPN HIGH VOLTAGE GE Type Pt rc = 25°C Max. W v CEO Min. (V ) hFE •c Cont. (A ) Min. ft hFE @ 10V, 20mA Max. @ 10V, 500mA Typical (MHz) Max. Min. D40N1 6.25 250 30 90 80 D40N2 6.25 250 60 180 80 D40N3 6.25 300 30 90 » f lB i

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D40N03L

Abstract: DSA0051257 S600C S1375
Contextual Info: S DU/D40N03L S amHop Microelectronics C orp. May,2004 ver1.1 N-C hannel Logic Level E nhancement Mode Field E ffect Transistor F E AT UR E S P R ODUC T S UMMAR Y V DS S R DS ON ( m W ) ID S uper high dense cell design for low R DS (ON ). Max R ugged and reliable.

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d40p3

Abstract: D40P5 tab ic D40P1 D42R3 tab 229 D40N1 D40N2 D40N3 D40N4
Contextual Info: SILICON POWER TRANSISTORS NPN HIGH VOLTAGE GE Type Pt rc = 25°C M ax. W D40N1 D40N2 D40N3 D40N4 6.25 6 .2 5 6.25 6 .2 5 v CEO M in. (V) 6.25 120 D40P3 6 .2 5 180 D42R2 D 42R 3 D42R4 15 225 250 300 15 15 250 15 60 300 D40P1 D42R I 30 300 375 6 .2 5 60 250

STD40NE03L

Contextual Info: D40NE03L  N - CHANNEL 30V - 0.012Ω - 40A - DPAK STripFET ” POWER MOSFET PRELIMINARY DATA T YPE ST D40NE03L • ■ ■ ■ ■ ■ V DSS R DS o n ID 30 V < 0.016 Ω 40 A TYPICAL RDS(on) = 0.012 Ω EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED

871P-B40N40-N3

Abstract: 871P-D40NP40-D4 ALLEN-BRADLEY MICRO 5 PIN 871P-BW15N40-R3 b20n40 B40N 871A
Contextual Info: Inductive Proximity Sensors Bulletin 871P VersaCubet Description Bulletin 871P VersaCubet inductive proximity sensors are self-contained, solid state devices designed to sense the presence of ferrous and nonferrous metal objects without touching them. VersaCube models feature two LEDs,

sn76131

Abstract: tlo72cp TOSHIBA 2N3055 M53207P 2N3055 TOSHIBA KIA7313AP kia7640ap LA5530 M5L8155P TBB1458B
Contextual Info: ACTIVE ELECTRONICS COMPONENTS CROSS REFERENCE GUIDE 2SC429GTM 2SC458 2SC458LG 2SC503 2SC504 2SC510 2SC512 2SC519 2SC520A 2SC594 2SC699A 2SC780 2SC809-1 2SC945 2SC3012 2SC3074 2SC3114 2SC3115 2SC3116 2SC3117 2SC3134 2SC3135 2SC3138 2SC3143 2SC3144 2SC3145 2SC3157

SE4020

Abstract: fairchild to-106 se7055 BFX37 BFY57 BC532 2N2484 PN4889 2N3965 EN2484
Contextual Info: FAIRCHILD TRANSISTORS S M A L L S IG N A L LOW LEVEL, LOW NOISE AMPLIFIER TRANSISTORS BY ASCENDING VCEO (Cont’d) Item DEVK: e n o . Pol arity NPN PNP 1 ^FE @ ic VCEO V Min Min/Max 60 100/300 PN4249 2 2N3965 60 3 BFX37 60 2N3962 f»FE mA 180/- mA Min/Max

BUV48I

Abstract: BU808DXI BD699 buv18a BD241CFI transistor 2SA1046 BUW52I BU808DFI equivalent BU724AS 2SA1046
Contextual Info: BIPOLAR TRANSISTOR INTRODUCTION TO BIPOLAR CROSS REFERENCE In order to improve our overall service, SGS-THOMSON has introduced a system of preferred transistor sales types. The following cross-reference is intended as a guide to identify sales types that may be suitable

UPD1707

Abstract: SMR 53-7 UPB562AC dec 8881 upd1712 D1704 uPB562 D1707G nec upB562AC ADS varactor diode
Contextual Info: S IN G LE -C H IP M IC R O C O M P U T E R W IT H A D IG IT A L PHA SE LOCKED LOOP F R E Q U E N C Y S Y N T H E S IZ E R ¿¿PD1707 is a 4 -b it d ig ita l tu n in g CM O S m ic ro c o m p u te r in c o rp o ra tin g a Phased Lo cke d L o o p P L L and