MSM5117800B Search Results

Contextual Info: J2G0043-17-41 作成：1998年 1月 MSM5117800B l 前回作成：1997年 5月 ¡ 電子デバイス MSM5117800B 2,097,152-Wordx8-Bit DYNAMIC RAM：高速ページモード n 概要 MSM5117800BはCMOSプロセス技術を用いた2,097,152ワ−ド×8ビット構成のダイナミックランダム

Contextual Info: O K I Semiconductor MSM5 1 17800B_ E 2 G 0043 - 17-41 2,097,152-Word x 8-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE DESCRIPTION The MSM5117800B is a 2,097,152-word x 8-bit dynamic RAM fabricated in Oki's silicon-gate CMOS technology. The MSM5117800B achieves high integration, high-speed operation, and low-power

msm5117800b

Abstract: MSM5117800
Contextual Info: O K I Semiconductor MSM5 1 17800B_ E 2 G 0 0 4 3 - 1 7 -4 1 2,097,152-Word x 8-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE DESCRIPTION The MSM5117800B is a 2,097,152-word x 8-bit dynamic RAM fabricated in Oki's silicon-gate CMOS technology. The MSM5117800B achieves high integration, high-speed operation, and low-power

Contextual Info: O K I Semiconductor MSM5117800B_ E2G0043-17-41 2,097,152-Word x 8-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE DESCRIPTION The MSM5117800B is a 2,097,152-w ord x 8-bit dynam ic RAM fabricated in Oki's silicon-gate CMOS technology. The MSM511780GB achieves high integration, high-speed operation, and low-power

MSM5117800

Abstract: SOJ28
Contextual Info: お客様各位 資料中の「沖電気」「ＯＫＩ」等名称の OKI セミコンダクタ株式会社への変更について 2008 年 10 月 1 日を以って沖電気工業株式会社の半導体事業は OKI セミコン ダクタ株式会社に承継されました。 従いまして、本資料中には「沖電気工業株

msm514260c

Abstract: MSM514256C edo 16m x 32
Contextual Info: E2G0004-17-42 Product Overview O K I Semiconductor Product Overview DRAM H H 5V 1M xT~1— I MSM5110OOC/CL H 256K X 4 1— I MSM514256C/CL j 128K X 8 h i MSM518126/L MSM518128/L I 64K X 16 M MSM511664C/CL MSM511666C/CL 2M~~hj 2M X 1 I— I M 3M 512100/T 1M X 2 I— ì MSM512200/L~

SQJ28-P-400-127

Contextual Info: E2G0006-17-41 O K I Semiconductor _ Packaging Packaging 5 V Power Supply DRAM Products MSM514256C/CL MSM518126/L MSM518128/L MSM511664C/CL MSM511666C/CL MSM512100/L MSM512200/L MSM512800C MSM512805C MSM514100D/DL MSM514400D/DL MSM514800C/CSL MSM514900C/CSL