MDT10P20 Search Results

MDT10P20 Datasheets (3)

Part	ECAD Model	Manufacturer	Description	Curated	Datasheet Type	PDF
MDT10P20		Micon Design Technology	8-bit micro-controller		Original	PDF
MDT10P20BC		Micon Design Technology	8-bit micro-controller		Original	PDF
MDT10P20BF		Micon Design Technology	8-bit micro-controller		Original	PDF

MDT10P20 Datasheets Context Search

Catalog Datasheet	MFG & Type	Document Tags	PDF
K155A Abstract: MDT10P20 21PC3 200H 20MHZ 400H M230A k120a 6AR5 Text: MDT10P20 BF 一概述这个 8 位基于 EPROM 微控制器是由完全静态 CMOS 技术设计，集高速、体积小、低功耗和抗高噪声一体的芯片。内存包括 2.0K 字节 ROM 和 80 字节静态 RAM。二、特点如下是关于软硬件的一些特点：	Original	MDT10P20 MDT10P20 20MHz 200ns 150us 10MHz K155A 21PC3 200H 20MHZ 400H M230A k120a 6AR5	PDF
MDT10P10 Abstract: MDT10P05 MDT10P20 Text: Application note for the built-in capacitance in MDT10P05, MDT10P10 and MDT10P20 1.For cost saving, these body already built in 10p~15p capacitance in the oscillation pins, OSC1 and OSC2. So, no external capacitors are needed. 2.If customer still likes to add the external capacitors in the oscillation pins, then the capacitance	Original	MDT10P05, MDT10P10 MDT10P20 MDT10P05 MDT10P20	PDF
transistor BC 550 Abstract: 200H 400H MDT10P20 Text: MDT10P20 BC 1. General Description This EPROM-Based 8-bit micro-controller uses a fully static CMOS design technology combines higher speed and smaller size with the low power and high noise immunity of CMOS. On chip memory system includes 2.0 K bytes of ROM, and 80 bytes of static RAM.	Original	MDT10P20 14-bit MDT10P20 transistor BC 550 200H 400H	PDF
200H Abstract: 400H MDT10P20 Text: MDT10P20 BF 1. General Description This EPROM-Based 8-bit micro-controller uses a fully static CMOS design technology combines higher speed and smaller size with the low power and high noise immunity of CMOS. On chip memory system includes 2.0 K bytes of ROM, and 80 bytes of static	Original	MDT10P20 14-bit MDT10P20 200H 400H	PDF
WMD011 Abstract: MDT10p55 MDT10P20 MDT10F841 Text: 關於 WMD011 修改事宜一 : 因為新增 Flash 系列產品 MDT10F84 / MDT10F841 , 故修改 WMD011 之軟體到 Ver.2.33 及軔體到 Ver.30D . 目前客戶可能之情況, 舊軔體 Ver.22F 可以搭配新舊軟體使用,但是在新軟體的新 Device 就無法燒錄, 新軔體就只能搭配新軟體使用; 並且	Original	WMD011 MDT10F84 MDT10F841) MDT10P20 MDT10P55 MDT10P55B1 WMD011 MDT10p55 MDT10F841	PDF
WMD011 Abstract: MDT10P20 Text: 关于 WMD011 修改事宜一 : 因为新增 Flash 系列产品 MDT10F84 / MDT10F841 , 故修改 WMD011 之软件到 Ver.2.31 及轫体到 Ver.30B . 目前客户可能之情况, 旧轫体 Ver.22F 可以搭配新旧软件使用,但是在新软件的新 Device 就无法烧录, 新轫体就只能搭配新软件使用; 并且	Original	WMD011 MDT10F84 MDT10F841) MDT10P20 mdtwriterV231 WMD011	PDF
Firmware Abstract: software WMD011 MDT10P20 V231 Text: WMD011 Update note 1. To support the coming soon flash devices MMDT10F84/MDTF10841, please update the software to V2.31 mdtwriterV231.exe and update the writer firmware to V3.0b. The old version firmware (V 22f) can work with the old or new software but the	Original	WMD011 MMDT10F84/MDTF10841, mdtwriterV231 MDT10F84 MDT10F841 MDT10P20 Firmware software MDT10P20 V231	PDF
MDT10P05 Abstract: MDT10P10 MDT10P20 OSC1 Text: 关于新版 IC MDT10P05MDT10P10、MDT10P20 振荡电路内建电容说明 1.因为内部已包含电容(OSC1 与 OSC2 约 10P~15P 电容值)，故可让客户节省成本，不需再外加电容。 2.客户仍需要外加电容，建议使用 10P~15P 电容，避免电容值过大造成 IC 无法正常动作。	Original	MDT10P05MDT10P10MDT10P20) MDT10P05 MDT10P10 MDT10P20 OSC1	PDF
MDT10P05 Abstract: MDT10P10 MDT10P20 OSC1 Text: 關於新版 IC MDT10P05MDT10P10、MDT10P20 振盪電路內建電容說明 1.因為內部已包含電容(OSC1 與 OSC2 約 10P~15P 電容值)，故可讓客戶節省成本，不需再外加電容。 2.客戶仍需要外加電容，建議使用 10P~15P 電容，避免電容值過大造成 IC 無法正常動作。	Original	MDT10P05MDT10P10MDT10P20) MDT10P05 MDT10P10 MDT10P20 OSC1	PDF