2N3055, Search Results
2N3055, Price and Stock
onsemi 2N3055GTRANS NPN 60V 15A TO204 |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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2N3055G | Tray | 439 | 1 |
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2N3055G | Tray | 400 | 10 Weeks | 1 |
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2N3055G | 3,628 |
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2N3055G | 350 | 20 |
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2N3055G | 350 | 10 Weeks | 1 |
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2N3055G | Bulk | 415 | 1 |
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2N3055G | 99 | 1 |
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2N3055G | 500 | 11 Weeks | 100 |
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2N3055G | 12 Weeks | 100 |
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2N3055G | 350 |
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2N3055G | 500 |
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onsemi 2N3055AGTRANS NPN 60V 15A TO204 |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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2N3055AG | Tray | 248 | 1 |
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2N3055AG | Bulk | 18 Weeks, 1 Days | 1 |
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2N3055AG | 274 |
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2N3055AG | Bulk | 77 | 1 |
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2N3055AG | 10 Weeks | 300 |
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2N3055AG | 300 | 11 Weeks | 100 |
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2N3055AG | 12 Weeks | 100 |
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2N3055AG | 195 |
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Microchip Technology Inc 2N3055TRANS NPN 70V 15A TO3 |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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2N3055 | Bulk | 100 |
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2N3055 | Bulk | 36 Weeks | 100 |
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2N3055 | 55 | 1 |
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2N3055 | 55 | 36 Weeks | 1 |
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2N3055 | Bulk | 100 |
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2N3055 | 1 |
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2N3055 |
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2N3055 | Tray | 7 |
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2N3055 | 37 Weeks | 100 |
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EVVO Semiconductor 2N3055TRANS NPN 60V 15A TO3 |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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2N3055 | Tray | 1 |
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STMicroelectronics 2N3055TRANS NPN 60V 15A TO3 |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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2N3055 | Tray |
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2N3055 | 37 |
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2N3055 | 2 |
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2N3055 | 2,400 |
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2N3055, Datasheets (239)
Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Curated | Datasheet Type | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N3055 | Comset Semiconductors | Epitaxial-Base NPN Transistor - Pol=NPN / Pkg=TO3 / Vceo=60 / Ic=15 / Hfe=20min / fT(Hz)=0.8M / Pwr(W)=115 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N3055 |
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TRANS GP BJT NPN 60V 10A 2TO-3 - Pol=NPN / Pkg=TO3 / Vceo=60 / Ic=15 / Hfe=20min / fT(Hz)=0.8M / Pwr(W)=115 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N3055 |
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NPN power silicon transistor. - Pol=NPN / Pkg=TO3 / Vceo=60 / Ic=15 / Hfe=20min / fT(Hz)=0.8M / Pwr(W)=115 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N3055 |
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15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS 115 WATTS - Pol=NPN / Pkg=TO3 / Vceo=60 / Ic=15 / Hfe=20min / fT(Hz)=0.8M / Pwr(W)=115 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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General Purpose Bipolar Transistor, NPN, 60V, TO-3, 2-Pin - Pol=NPN / Pkg=TO3 / Vceo=60 / Ic=15 / Hfe=20min / fT(Hz)=0.8M / Pwr(W)=115 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Complementary Silicon Power Transistors - Pol=NPN / Pkg=TO3 / Vceo=60 / Ic=15 / Hfe=20min / fT(Hz)=0.8M / Pwr(W)=115 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NPN power transistor, 100V, 15A - Pol=NPN / Pkg=TO3 / Vceo=60 / Ic=15 / Hfe=20min / fT(Hz)=0.8M / Pwr(W)=115 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Bipolar NPN Device in a Hermetically Sealed TO3 Metal Package - Pol=NPN / Pkg=TO3 / Vceo=60 / Ic=15 / Hfe=20min / fT(Hz)=0.8M / Pwr(W)=115 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS - Pol=NPN / Pkg=TO3 / Vceo=60 / Ic=15 / Hfe=20min / fT(Hz)=0.8M / Pwr(W)=115 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Complementary power transistors | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Complementary power transistors | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TRANS GP BJT NPN 60V 15A 2TO-3 - Pol=NPN / Pkg=TO3 / Vceo=60 / Ic=15 / Hfe=20min / fT(Hz)=0.8M / Pwr(W)=115 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N3055 | Transys Electronics | SILICON PLANAR POWER TRANSISTORS | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N3055 | USHA | High power NPN transistor. General-purpose switching and amplifier application. Vceo = 60Vdc, Vcer = 70Vdc, Vcb = 100Vdc, Veb = 15Vdc, Ic = 7Adc, Ib = 7Adc, PD = 115W. - Pol=NPN / Pkg=TO3 / Vceo=60 / Ic=15 / Hfe=20min / fT(Hz)=0.8M / Pwr(W)=115 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N3055 | USHA | NPN silicon power transistor. 15 Amp, 60V, 115Watt. These devices are designed for general purpose switching and amplifier applications. - Pol=NPN / Pkg=TO3 / Vceo=60 / Ic=15 / Hfe=20min / fT(Hz)=0.8M / Pwr(W)=115 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N3055 | Various Russian Datasheets | Transistor | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N3055 | Advanced Semiconductor | Silicon Transistor Selection Guide | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15 AMPS / 20 AMPS NPN Transistors | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Short form transistor data | Short Form | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N3055 |
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Short form transistor data | Short Form |
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