Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 1SS294 TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottoky Barrier Type 1SS294 Unit: mm Low Voltage High Speed Switching l Low forward voltage : VF 3 = 0.54V (typ.) l Low reverse surrent : IR = 5µA (max) l Small package : SC−59 Maximum Ratings (Ta = 25°°C) Characteristic
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Original
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1SS294
236MOD
100mA
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TOSHIBA "ULTRA HIGH SPEED" DIODE
Abstract: ifm 3000 1SS349 SCHOTTKY diode
Text: 1SS349 TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Planar Type 1SS349 Ultra High Speed Switching Application Unit in mm Low forward voltage : VF 3 = 0.49V (typ.) Low reverse current : IR = 50µA (max) Small package : SC−59 Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristic
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Original
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1SS349
SC-59
TD-236MOD
TOSHIBA "ULTRA HIGH SPEED" DIODE
ifm 3000
1SS349 SCHOTTKY diode
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 1SS250 TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 1SS250 Unit in mm Ultra High Speed Switching Application Low forward voltage : VF 2 = 0.90V (typ.) Fast reverse recovery time : trr = 60ns (typ.) Small total capacitance : CT = 1.5pF (typ.) Small package
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Original
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1SS250
SC-59
961001EAA2'
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1SS250
Abstract: No abstract text available
Text: 1SS250 TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 1SS250 Unit: mm Ultra High Speed Switching Application z Low forward voltage : VF 2 = 0.90V (typ.) z Fast reverse recovery time : trr = 60ns (max) z Small total capacitance : CT = 1.5pF (typ.) z Small package
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Original
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1SS250
SC-59
1SS250
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2sk 4207
Abstract: 2SK176 2SK975 equivalent 2SJ177 2SJ318 PM45502C 2SK2225 2sk1058 2SJ162 pwm 100w audio amplifier 2SK1336 equivalent
Text: CONTENTS Index . 5 General Information . 9
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Original
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D-85622
2sk 4207
2SK176
2SK975 equivalent
2SJ177
2SJ318
PM45502C
2SK2225
2sk1058 2SJ162
pwm 100w audio amplifier
2SK1336 equivalent
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1SS250
Abstract: No abstract text available
Text: 1SS250 TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 1SS250 Unit: mm Ultra High Speed Switching Application l Low forward voltage : VF 2 = 0.90V (typ.) l Fast reverse recovery time : trr = 60ns (typ.) l Small total capacitance : CT = 1.5pF (typ.) l Small package
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Original
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1SS250
SC-59
1SS250
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1SS321
Abstract: No abstract text available
Text: 1SS321 東芝ダイオード シリコンエピタキシャルショットキバリア形 1SS321 ○ 低電圧高速スイッチング用 単位: mm : SC-59 : VF 2 = 0.42V (標準) : IR = 500nA (最大) z 外形が小さい。 z 順電圧が小さい。
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Original
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1SS321
SC-59
500nA
236MOD
1SS321
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1SS394
Abstract: No abstract text available
Text: 1SS394 東芝ダイオード シリコンエピタキシャルショットキバリア形 1SS394 ○ 高速スイッチング用 単位: mm z 小型外囲器なので高密度実装に最適です。 z 順方向電圧が低い。 : VF = 0.23V 標準 @IF = 5mA
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Original
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1SS394
236MOD
100mA
1SS394
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1SS294
Abstract: No abstract text available
Text: 1SS294 東芝ダイオード シリコンエピタキシャルショットキバリア形 1SS294 ○ 低電圧高速スイッチング用 単位: mm : SC-59 : VF 3 = 0.54V (標準) : IR = 5 A (最大) z 外形が小さい。 z 順電圧が小さい。 z 逆電流が小さい。
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Original
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1SS294
SC-59
236MOD
100mA
1SS294
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1SS377
Abstract: No abstract text available
Text: 1SS377 東芝ダイオード シリコンエピタキシャルショットキバリア形 1SS377 ○ 高速スイッチング用 単位: mm z 小型外囲器なので高密度実装に最適です。 z 順方向電圧が低い。 : VF = 0.23V 標準 @IF = 5mA
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Original
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PDF
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1SS377
236MOD
100mA
1SS377
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1SS337
Abstract: No abstract text available
Text: 1SS337 東芝ダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形 1SS337 ○ 超高速度スイッチング用 z z z z : : : : 外形が小さい。 順電圧特性が良い。 逆回復時間が短い。 端子間容量が小さい。 単位: mm
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Original
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1SS337
SC-59
236MOD
100mA
200mA
1SS337
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1SS307
Abstract: No abstract text available
Text: 1SS307 TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 1SS307 General Puropose Rectifier Applications Unit in mm Low forward voltage : VF = 1.0V typ. Low reverse current : IR = 0.1nA (typ.) Small total capacitance : CT = 3.0pF (typ.) Small package : SC−59
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Original
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1SS307
SC-59
O-236MOD
1SS307
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2SK2570
Abstract: Hitachi DSA00238 A5150
Text: 2SK2570 Silicon N-Channel MOS FET Low Frequency Power Switching ADE-208-574 1st. Edition Features • Low on-resistance R DS on = 0. 8Ω typ. (VGS = 4 V, I D = 100 mA) • 2.5V gate drive devices. • Small package (MPAK) Outline MPAK 3 1 2 D 1. Source 2. Gate
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Original
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2SK2570
ADE-208-574
2SK2570
Hitachi DSA00238
A5150
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RN1414
Abstract: RN1415 RN1416 RN1417 RN1418 RN2414
Text: RN1414～RN1418 シリコンNPNエピタキシャル形 PCT方式 (バイアス抵抗内蔵) 東芝トランジスタ RN1414, RN1415, RN1416, RN1417, RN1418 ○ スイッチング用 ○ インバータ用 ○ インタフェース回路用 ○ ドライバ回路用
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Original
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RN1414RN1418
RN1414,
RN1415,
RN1416,
RN1417,
RN1418
RN24142418
RN1414
RN1415
RN1417
RN1414
RN1415
RN1416
RN1417
RN1418
RN2414
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 1SS307 TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 1SS307 General Puropose Rectifier Applications l Low forward voltage : VF = 1.0V typ. l Low reverse current : IR = 0.1nA (typ.) l Small total capacitance : CT = 3.0pF (typ.) l Small package : SC−59 Unit: mm
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Original
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1SS307
236MOD
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2SK3288
Abstract: DSA003779 Hitachi DSA003779
Text: 2SK3288 Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching ADE-208-803 Z 1st.Edition. June 1999 Features • Low on-resistance R DS = 2.7 Ω typ. (VGS = 10 V , ID = 50 mA) R DS = 4.7 Ω typ. (VGS = 4 V , ID = 20 mA) • 4 V gate drive device. • Small package (MPAK)
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Original
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2SK3288
ADE-208-803
2SK3288
DSA003779
Hitachi DSA003779
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TO-236MOD
Abstract: 1SS307
Text: 1SS307 東芝ダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形 1SS307 単位 : mm ○ 一般整流用 z z z z : SC−59 : VF = 1.0V 標準 外形が小さい。 順電圧特性が良い。 逆電流が非常に小さい。 端子間容量が小さい。
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Original
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1SS307
SC-59
O-236MOD
100mA
2007-11-0mA
TO-236MOD
1SS307
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1SS294
Abstract: No abstract text available
Text: 1SS294 TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottoky Barrier Type 1SS294 Unit: mm Low Voltage High Speed Switching l Low forward voltage : VF 3 = 0.54V (typ.) l Low reverse surrent : IR = 5µA (max) l Small package : SC−59 Maximum Ratings (Ta = 25°°C) Characteristic
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Original
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PDF
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1SS294
SC-59
1SS294
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1SS321
Abstract: No abstract text available
Text: 1SS321 TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 1SS321 Unit: mm Low-Voltage High-Speed Switching z Low forward voltage: VF = 0.42 V typ. z Low reverse current: IR = 500 nA (max) z Small package: SC-59 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics
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Original
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PDF
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1SS321
SC-59
O-236MOD
1SS321
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1SS294
Abstract: No abstract text available
Text: 1SS294 TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type 1SS294 Unit: mm Low Voltage High Speed Switching z Low forward voltage : VF 3 = 0.54V (typ.) z Low reverse surrent : IR = 5 A (max) z Small package : SC−59 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
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Original
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PDF
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1SS294
SC-59
O-236MOD
1SS294
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2SJ486
Abstract: ADE-208-512 Hitachi 2SJ Hitachi DSA00395
Text: 2SJ486 Silicon P Channel MOS FET Low FrequencyPower Switching ADE-208-512 A 2nd. Edition Features • Low on-resistance R DS on = 0.5 Ω typ. (at V GS = –4V, ID = –100 mA) • 2.5V gate drive devices. • Small package (MPAK). Outline MPAK 3 1 D 2 1. Source
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Original
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2SJ486
ADE-208-512
2SJ486
Hitachi 2SJ
Hitachi DSA00395
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 1SS226 TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 1SS226 Unit: mm Ultra High Speed Switching Application z Small package : SC-59 z Low forward voltage : VF 3 = 0.9V (typ.) z Fast reverse recovery time : trr = 1.6ns (typ.) z Small total capacitance : CT = 0.9pF (typ.)
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Original
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1SS226
SC-59
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1SS250
Abstract: VR200
Text: 1SS250 東芝ダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形 1SS250 ○ 高電圧スイッチング用 z z z z : : : : 外形が小さい。 順方向特性が良い。 逆回復時間が短い。 端子間容量が小さい。 単位: mm
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Original
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1SS250
SC-59
236MOD
100mA
1SS250
VR200
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TO-236MOD
Abstract: 1SS392 sc59
Text: 1SS392 東芝ダイオード シリコンエピタキシャルショットキバリア形 1SS392 ○ 低電圧高速スイッチング用 単位: mm : SC–59 : VF 3 = 0.54V (標準) : IR = 5 A (最大) z 外形が小さい。 z 順方向電圧が低い。
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Original
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PDF
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1SS392
236MOD
100mA
TO-236MOD
1SS392
sc59
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