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1SS417TS Datasheets (1)

Part	ECAD Model	Manufacturer	Description	Curated	Datasheet Type	PDF
1SS417TS		Toshiba	1SS417 - DIODE 0.1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE, FSC2, 1-1X1A, 2 PIN, Signal Diode		Original	PDF

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Catalog Datasheet	MFG & Type	Document Tags	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: 1SS417TS 東芝ダイオードシリコンエピタキシャルショットキバリア形 1SS417TS ○ 超高速スイッチング用単位: mm z 2 端子小型外囲器なので高密度実装に最適です。 z 順方向特性が良い。 : VF 3 = 0.56V (標準)	Original	1SS417TS 20mmx20mm,	PDF
Untitled Abstract: No abstract text available Text: 1SS417TS TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type 1SS417TS High Speed Switching Application • Unit: mm Small package Low forward voltage: VF 3 = 0.56V (typ.) Low reverse current: IR = 5 A (Max.) 0.6±0.05 A Symbol Rating Unit VRM 45 V Reverse voltage	Original	1SS417TS	PDF

Catalog Datasheet

MFG & Type

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Untitled

Abstract: No abstract text available
Text: 1SS417TS 東芝ダイオードシリコンエピタキシャルショットキバリア形 1SS417TS ○ 超高速スイッチング用単位: mm z 2 端子小型外囲器なので高密度実装に最適です。 z 順方向特性が良い。 : VF 3 = 0.56V (標準)

Original

1SS417TS 20mmx20mm,

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Abstract: No abstract text available
Text: 1SS417TS TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type 1SS417TS High Speed Switching Application • Unit: mm Small package Low forward voltage: VF 3 = 0.56V (typ.) Low reverse current: IR = 5 A (Max.) 0.6±0.05 A Symbol Rating Unit VRM 45 V Reverse voltage

Original

1SS417TS

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